三星获得英伟达HBM3E认证；美光股价下跌

市场对三星英伟达HBM3E认证的反应

美光科技 (NASDAQ:MU) 股价周五下跌3.5%，此前该股在本周早些时候创下历史新高。此次下跌发生之际，三星电子 (SSNLF) 宣布其12层HBM3E内存芯片获得了英伟达 (NASDAQ:NVDA) 的关键认证。这一发展改变了高带宽内存 (HBM) 领域的市场动态，HBM是人工智能 (AI) 加速器的关键组成部分。

三星在高带宽内存领域的战略进展

三星 成功通过了英伟达对其第五代12层HBM3E产品的认证测试，这是在之前尝试之后的一个重要里程碑。尽管三星最初将与SK海力士 (000660.KS) 和美光一起成为英伟达的第三家供应商，但此次认证突显了三星在先进HBM竞争中的复苏。此外，三星似乎在满足英伟达对下一代高速内存HBM4的未来规格方面建立了优势。英伟达已将HBM4数据传输速度要求设定为每秒10吉比特 (Gbps) 以上。据报道，三星已展示出11 Gbps的速度，超过SK海力士的10 Gbps，而美光 则被指出在达到这些规格方面遇到困难。三星还获得了AMD 对其HBM3E 12-High芯片的认证，并计划在短期内向英伟达大量出货HBM4样品以进行早期认证。

对HBM市场竞争和定价的影响

三星HBM3E获得英伟达认证加剧了快速扩张的HBM市场内部的竞争。分析师正在密切关注对HBM定价的潜在影响，特别是如果三星选择战略性地对其产品进行折扣以争取更大的市场份额。富国银行 分析师Andrew Rocha观察到，这一发展可能“对HBM定价产生增量负面影响”。Rocha还指出，鉴于美光股价接近170美元，“下周市场对其即将发布的财报抱有很高期望”，强调美光需要确认强劲的供应承诺以保持积极势头。

更广阔的背景：半导体行业动态的转变

对先进AI应用至关重要的HBM市场正在经历战略调整。三星作为英伟达（AI加速器领域的独主导力量）的重要供应商重新进入市场，表明HBM供应链的多元化。此举也被视为对半导体资本设备供应商有利。摩根大通 分析师Sandeep Deshpande强调了这一点，指出这一发展“对半导体设备厂商来说是一个积极的进展，特别是对欧洲的ASML，因为它将内存领导者带回了先进HBM的竞争中”。Deshpande指出三星可用的洁净室空间，这可能有助于快速扩大生产并可能增加对ASML (ASML) 等公司设备的需求。尽管存在竞争压力，几位分析师仍对美光持建设性展望。TD Cowen 分析师Krish Sankar将美光的目标股价从150美元上调至180美元，维持买入评级，理由是市场势头持续。同样，巴克莱银行 分析师Tom O'Malley将目标股价从140美元调整至175美元，维持增持评级。

未来HBM世代展望

展望未来，HBM市场，尤其是HBM4的竞争预计将更加激烈。预测显示，到2026年，HBM供应将大幅增加，这得益于三星电子、SK海力士 和美光 的产能扩张，以及三星和美光的良率提高，以及新参与者的潜在进入。这种预期中的供应激增预计将缓解当前严重的短缺，可能导致到2026年HBM3E供应价格同比下降30%。HBM4的价格谈判也预计将面临反映成本上涨的挑战。分析师预计，在HBM4市场中，SK海力士 可能占据约50%的市场份额，三星电子 占30%，美光 占20%，这反映了日益激烈的竞争格局。市场将密切关注主要参与者即将发布的财报和战略公告，以获取对不断演变的HBM格局的进一步洞察。