主なハイライト:
AIとHPCがかつてないほど基板の複雑化を推進する中、メーカーは性能向上の壁に直面しており、シュミッド・グループ（SCHMID Group）は新しいパネルレベル・パッケージング技術でこの課題の解決を目指しています。
ドイツ、フロイデンシュタット – シュミッド・グループ（NASDAQ: SHMD）は、人工知能およびハイパフォーマンス・コンピューティング（HPC）ハードウェアの急増する需要に応えるために設計されたフルパネルレベル・プラットフォームである、独自の「Any Layer ET（埋め込みトレース）」プロセスにより、次世代基板製造を進化させています。この技術は、従来の基板製造の枠を超え、複雑なチップアーキテクチャ向けに、より微細で信頼性の高い相互接続を可能にします。
シュミッド・グループの最高販売責任者（CSO）であるローランド・レッテンマイヤー氏は声明で次のように述べています。「先端パッケージングの未来は、精度、信頼性、そして拡張可能な製造によって定義されるでしょう。AIインフラの需要が加速する中、基板の革新はシステム全体のパフォーマンスを左右する最も戦略的な要素の一つとなっています。」
従来の改良型セミアディティブ法（mSAP）やセミアディティブ法（SAP）のアプローチとは異なり、シュミッドの技術は、誘電体層内に銅配線を埋め込むダマシン法を採用しています。ワークフローは、深掘り反応性イオンエッチング（DRIE）、シード層用の物理蒸着（PVD）、銅充填用の電解メッキ（ECD）、および平坦化のための化学機械研磨（CMP）を組み合わせたものです。この手法により、先端パッケージにおける極微細再配線層（RDL）に不可欠な、優れた配線定義と表面平坦性が実現します。
今回の発表により、シュミッドは、業界がヘテロジニアス・インテグレーションやより複雑なパッケージアーキテクチャへと移行する流れを捉える体制を整えました。プロセスのノウハウと製造装置の両方を提供することで、同社は顧客が次世代基板製造を工業化するための統合プラットフォームを提供し、特に将来のガラスコア・パッケージングに注力しています。
「Any Layer ET」のような高度な製造プロセスの導入は、より複雑で高密度なチップ相互接続を作成するという課題に対応しますが、それは別の重要なボトルネックである熱管理と並行しています。パッケージング密度が高まると、熱密度も高まります。Energy Conversion and Managementに掲載されたKAISTによる最近の研究では、2,000 W/cm²以上の熱を除去できるマニホールド・マイクロチャネル・クーラーを用いてこの課題を浮き彫りにしています。シュミッドのプロセスがより強力なチップ設計を可能にする一方で、KAISTのような冷却技術はそれらを実現可能にするために不可欠であり、半導体業界の進歩には製造と熱工学の両面からの多角的なアプローチが必要であることを示しています。
シュミッドは、フロリダ州オーランドで開催される次回の「ECTC 2026」カンファレンスでその戦略を詳細に説明する予定です。レッテンマイヤー氏は、「InfinityBoard – 極微細RDLおよび垂直相互接続統合のためのパネルレベル・ガラスコア・パッケージング・プラットフォーム」と題した講演を行う予定です。このプレゼンテーションでは、将来の半導体性能の実現におけるダマシン処理の役割について触れ、チップメーカー、OSAT、装置サプライヤーと交流するための重要なフォーラムとなります。
この記事は情報提供のみを目的としており、投資アドバイスを構成するものではありません。
