美光科技正在開創垂直堆疊式圖形雙倍數據速率（GDDR）記憶體，旨在為人工智慧市場打造一種新的中階產品。此戰略舉措旨在彌補昂貴的高頻寬記憶體（HBM）與傳統GDDR之間的關鍵性能和成本差距，使美光領先於其主要競爭對手。
美光科技已啟動垂直堆疊圖形雙倍數據速率（GDDR）記憶體產品的開發，旨在競爭激烈的AI硬體市場中開闢新的利基。該公司計畫在今年下半年部署必要設備並開始製程測試。據報導，最初的原型預計將採用大約四層堆疊GDDR，產品樣品可能最早於2025年面市。
這項舉措旨在創建一種新的記憶體類別，以填補高成本、高性能高頻寬記憶體（HBM）與價格較低、頻寬較低的標準GDDR之間的空白。透過堆疊GDDR晶片，美光旨在顯著提升性能，同時保持相對於HBM的成本優勢，以滿足AI加速器客戶的明確需求。
GDDR傳統上針對顯示卡和遊戲機進行了優化，提供了極具吸引力的價格點，這使其在某些AI推論加速器中得到了採用。然而，其頻寬限制阻礙了其在高性能AI任務中的廣泛應用。美光的堆疊GDDR旨在克服這一瓶頸，為不斷增長的AI應用需求提供專門的解決方案。
透過推出一款性能優於現有GDDR但成本低於HBM的產品，美光正在直接響應市場對多元化記憶體解決方案的需求。這種新型記憶體層級不僅面向AI加速器，還對高性能遊戲顯示卡市場具有潛力，該市場持續需要更大的記憶體頻寬。
美光在堆疊GDDR領域的戰略性推進，使其比競爭對手三星電子和SK海力士獲得了顯著的先發優勢，這兩家公司均未公開宣布類似的開發計畫。如果美光能夠成功克服技術挑戰並率先將產品推向市場，它便可能在這個新興的細分市場中建立強大的競爭壁壘。
然而，該技術的大規模生產仍處於早期階段，存在相當大的技術風險。主要挑戰包括完善晶片到晶片的堆疊和互連方法、管理功耗以及確保有效的散熱。此外，控制製造成本將至關重要。該產品的成功取決於保持相對於HBM的明顯價格-性能優勢，否則將削弱其市場競爭力。正如一位行業分析師所指出的，“由於AI市場的發展，堆疊GDDR的必要性現在正變得顯而易見”，而美光的舉動可能會引發一場新的記憶體堆疊競賽。
