SK海力士重挫5% 三星逆勢上漲 韓國AI記憶體類股出現分裂

SK海力士週五下跌近5%，將連續兩日的跌幅擴大至超過15%，同時三星上漲0.8%，韓國兩大AI記憶體龍頭罕見出現走勢分歧。

花旗分析師David Chew向MarketWatch表示：「空頭部位的累積已達相當單邊的程度，因此AI情緒若出現任何穩定跡象，都可能觸發軋空行情。」

這波分歧為動盪的一週畫下句點。SK海力士在美掛牌股票週二大漲8.2%至153.38美元，此前至少有六家券商給予等同於買進的評級，其中包括William Blair給予的260美元目標價，以及Rosenblatt的320美元目標價。然而該股隨後急轉直下，週四在首爾暴跌10.4%，幾乎吞噬了先前漲幅。相比之下，三星週三上漲近4%，並一路維持漲勢至週五。

這波分歧反映出投資人對兩家公司AI記憶體曝險的估值方式日益分化。SK海力士在與Nvidia加速器搭配供應的高頻寬記憶體（HBM）領域佔據主導地位，但其高溢價估值也意味著承受失望的空間更小。三星則憑藉更廣泛的DRAM規模，提供以較低成本參與記憶體景氣循環的管道，儘管在高端HBM認證上仍落後。

FMS展會上的競爭藍圖

這波分歧出現之際，兩家公司剛在聖克拉拉舉行的「記憶體與儲存未來大會」（FMS）上發表相互競爭的AI記憶體藍圖。三星展示了包括zHBM在內的概念階段技術，這是一種垂直堆疊架構，可直接將記憶體置於AI加速器之上，宣稱效能可達HBM5的八倍。該公司還公布了V10 Bonding V-NAND——業界首款超過400層的晶圓鍵合NAND設計，以及針對邊緣AI系統的zNAND-O。

相比之下，SK海力士帶來的技術更接近量產階段。該公司與SanDisk透過開放運算計畫（OCP）發布了業界首個高頻寬快閃記憶體（HBF）開放規格，並獲得Google及AI晶片新創Tenstorrent的支持。HBF的定位介於超高速HBM與傳統固態硬碟之間，適用於TB級規模的AI推論工作負載。SK海力士還展示了其375層V10 4D NAND，企業級SSD量產時程定於2027年初。

估值差距持續擴大

穆迪將SK海力士的債務評級從Baa1上調至A3，理由是未來12至18個月獲利能力強勁且現金流充沛。該公司公布第二季獲利創下420億美元的紀錄，然而投資人卻以賣股回應，顯示市場正在反映記憶體景氣循環觸頂的預期。

韓股KOSPI週三在外資及機構法人淨買入推動下上漲逾5%，但此後漲勢已經消退。SK海力士連續兩日累計下跌超過15%，幾乎抵消了分析師覆蓋潮帶來的漲幅；而三星相對溫和的波動，則反映其作為韓國晶片股中成本較低的記憶體貝塔標的之定位。

對投資人而言，這波分歧引出一個問題：SK海力士因HBM領導地位而享有的高溢價估值是否合理，抑或隨著AI記憶體循環走向成熟，三星更廣泛的記憶體曝險能提供更佳的風險調整後回報。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。