根据美光首席执行官的说法,由 AI 需求驱动的严重内存供应短缺预计将至少持续到 2028 年,与此同时该公司发布了创纪录的第二季度财报。
返回
根据美光首席执行官的说法,由 AI 需求驱动的严重内存供应短缺预计将至少持续到 2028 年,与此同时该公司发布了创纪录的第二季度财报。

美光科技(Micron Technology)首席执行官警告称,人工智能产业创造内存芯片需求的速度超过了行业的供应能力,仅今年一年,AI 相关需求预计就将消耗超过一半的市场份额。这一警告发布之际,该公司因供需失衡而报告了创纪录的第二季度业绩。
“AI 产业仍处于初始阶段,”美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)在最近的一次采访中表示。他补充说,内存已成为客户的战略资产。他强调,核心问题不在于需求或定价,而在于供应极其紧张且无法迅速扩张。
在 2026 财年第二季度,美光报告营收为 239 亿美元,同比增长 196%,非公认会计准则(non-GAAP)每股收益(EPS)为 12.20 美元。该公司预计第三季度营收将达到 335 亿美元,每股收益为 19.15 美元,表明增长势头将持续。这一结果轻松超过了分析师的预期,并推动公司股价飙升。
供需失衡对于美光、三星和 SK 海力士等内存制造商来说是利好,赋予了他们显著的定价权。然而,对于英伟达(Nvidia,纳斯达克股票代码:NVDA)和超威半导体(AMD,纳斯达克股票代码:AMD)等 AI 硬件领导者来说,这构成了潜在的瓶颈,因为他们的下一代 GPU 依赖于高性能内存的稳定供应。
目前 DRAM 和 NAND 内存的短缺正同时影响传统服务器和 AI 服务器市场。英国《金融时报》援引分析师观点称,考虑到新建半导体晶圆厂所需的长期建设周期,供应紧张状况在 2028 年之前不太可能缓解。更为保守的预测显示,到 2027 年,行业可能只能满足约 60% 的高带宽内存(HBM)需求。
这种动态正在增强内存制造商的定价能力。上一季度,DRAM 价格上涨了 60% 至 69% 左右,而 NAND 价格则飙升了 70% 至 79% 左右。梅赫罗特拉表示,供应在“2026 年日历年之后仍将保持紧张”,美光目前只能满足关键客户 50% 到三分之二的需求。
在此背景下,美光的股票(纳斯达克代码:MU)在过去一年中飙升了惊人的 572%,远超标准普尔 500 指数 30% 的涨幅。尽管经历了这一轮上涨,该公司的估值可能仍具吸引力。美光的预期市盈率仅为 9 倍,较半导体行业 24 倍的平均水平有显著折价。
在一些看多者看来,通往 1,000 美元股价的路径与其说取决于估值计算,不如说取决于执行力。持续的高内存价格、下一代 HBM 产品的成功量产以及在供应受限的市场中保持领先地位,是投资者关注的关键因素。
美光正积极行动以利用这一需求。该公司已开始批量出货其 12 层(12-Hi)HBM4 内存,该产品专为英伟达的下一代 Vera Rubin AI 平台设计。它计划在 2027 年开始扩大其更先进的 HBM4E 内存的生产。
随着英伟达和 AMD 的 AI 加速器越来越依赖 HBM 来获得更大的带宽和容量,这一产品路线图至关重要。CPU 方面的需求也在加速,代理型 AI(agentic AI)工作负载推动内存支持规范向 400GB 迈进,约为当前水平的四倍。
本文仅供参考,不构成投资建议。