分析师表示,推动美光创纪录营收的存储芯片短缺状况,在2028年之前没有缓解迹象。
分析师表示,推动美光创纪录营收的存储芯片短缺状况,在2028年之前没有缓解迹象。

分析师表示,推动美光创纪录营收的存储芯片短缺状况,在2028年之前没有缓解迹象。
美光科技押注于用于人工智能的高带宽存储芯片,正在获得回报。这家总部位于博伊西的芯片制造商预计,其第三财季营收将创下约335亿美元的纪录,较上一财季的238.6亿美元增长40%,而上一财季的营收本身已较上年同期增长近两倍。
美光在第二财季的财报讲话稿中表示:"预计2026日历年DRAM和NAND行业的比特需求都将受到供应制约。"该公司补充称,今年之后供应仍将保持紧张。
该公司的股价在2026年已上涨超过两倍,涨幅约285%,交易价格约在1134美元,市值接近1.3万亿美元。美光预计截至5月28日的财季调整后毛利率约为81%(创纪录),每股收益约为19.15美元。该公司将在6月24日盘后公布财报。
供需失衡直接源于AI。英伟达每一代新的图形处理器都需要更多存储芯片,而最先进的类型——高带宽存储芯片(HBM)——每比特消耗的工厂产能远超标准DRAM。随着美光将生产转向用于英伟达Vera Rubin平台的HBM,它从用于笔记本电脑和服务器的标准存储芯片中抽走了产能,从而维持了整个市场的价格上涨。
摩根大通预计,DRAM的根本性短缺将持续到2028年,NAND闪存的短缺至少将持续到明年。市场研究机构Omdia预测,今年三大主要存储芯片制造商——三星电子、SK海力士和美光——的DRAM晶圆产量将达到1842万片,较去年增长6.1%,但低于2025年7.4%的增幅。增速放缓反映出,在行业上一次低迷之后,企业对新增投资持谨慎态度。
美光已就其2026日历年全部HBM供应的价格和数量签订了协议。该公司正在爱达荷州和纽约州投资数百亿美元建设新工厂,但至少要到2027年底才能形成实质性产能。爱达荷州第一家工厂预计将于2027年中开始初步晶圆产出,而纽约州第一家工厂要到2030年及之后才能提供供应。
需求端没有降温迹象。美国国家经济研究局预测,五大科技公司——谷歌、微软、Meta、亚马逊和甲骨文——的年度AI基础设施支出将从2025年的3810亿美元增至明年的1.09万亿美元。牛津马丁AI治理倡议组织预测,到2033年全球AI市场规模将达到4.8万亿美元,大致相当于德国经济的规模。
受益者远不止美光一家。三星电子和SK海力士这两家另外两大存储芯片制造商的合并营业利润今年预计将达到约620万亿韩元,明年为830万亿韩元——后者超过了韩国的全部补充预算。利润集中在半导体行业引发了人们对韩国经济两极分化的担忧,政府被敦促更广泛地分配芯片行业的收益。
对投资者而言,问题在于美光的估值能否维持当前的走势。该股目前的市盈率超过50倍(基于过去12个月盈利),对于一家历史上具有周期性的存储芯片制造商来说,这是一个高企的倍数。但考虑到该公司仅单季每股收益就预计达到19.15美元——远高于上一季度的12.20美元——如果当前周期得以持续,远期市盈率看起来就不那么令人却步了。任何需求或价格疲软的迹象都可能引发大幅回调,因为当前的股价中已经计入了太多乐观预期。
本文仅供参考,不构成投资建议。