Puntos clave:
El chip NAND de 332 capas de Kioxia ofrece un 59 % más de densidad de bits y una transferencia de datos un 30 % más rápida, desafiando a Samsung y SK Hynix en el mercado de almacenamiento para IA.
Kioxia Holdings Corp. comenzó el muestreo de su memoria BiCS FLASH de 10.ª generación para centros de datos de inteligencia artificial, un chip de 332 capas con un 59 % más de densidad de bits y una velocidad de interfaz de 4.8 Gb/s que desafía a Samsung Electronics Co. y SK Hynix Inc. en el mercado de NAND.
"Observamos que la demanda de los clientes de centros de datos no muestra señales de debilitamiento", declaró el director ejecutivo Hiroo Ota en un evento con medios, añadiendo que Kioxia podría aumentar el gasto de capital para satisfacer las crecientes necesidades de almacenamiento para IA.
El dispositivo TLC de 1 Tb, fabricado en la planta Fab2 de Kioxia en Kitakami, prefectura de Iwate, utiliza tecnología CMOS directamente unida a la matriz (CBA, por sus siglas en inglés) para lograr una mejora del 33 % en la velocidad de interfaz respecto a la 8.ª generación. La eficiencia energética en escritura mejoró un 18 % y la eficiencia en lectura un 30 %, según la compañía. La producción en masa está prevista para 2027.
El valor de mercado de Kioxia se ha disparado más de siete veces este año, superando los 250 000 millones de dólares y sobrepasando a Toyota Motor Corp., a medida que el paso del entrenamiento de IA a la inferencia impulsa la demanda de almacenamiento NAND de alta capacidad. La empresa carece de una línea de productos de memoria de alto ancho de banda (HBM), una debilidad estratégica frente a sus rivales coreanos, que combinan NAND con HBM. No obstante, el analista Kazuyoshi Saito de IwaiCosmo Securities estima que Kioxia mantiene una ventaja de dos a cuatro años en rendimiento y eficiencia energética de NAND.
Por qué 332 capas en lugar de más de 400
La decisión de Kioxia de detenerse en 332 capas —mientras sus competidores avanzan hacia más de 400— refleja una compensación deliberada. Atsushi Inoue, gerente general de la unidad de negocio de memoria de Kioxia, explicó que apilar más de 400 capas aumenta el consumo energético, ya que más capas de almacenamiento se activan durante las operaciones de lectura y escritura, y que las capas de celdas más delgadas pueden reducir la retención de carga. El diseño de 332 capas ofrece aproximadamente un 10 % menos de costo por gigabyte, un 10 % mejor eficiencia energética y un 35 % más de fiabilidad en comparación con alternativas de más de 400 capas, según Inoue.
La tecnología CBA, introducida con la 8.ª generación, ha elevado las velocidades de interfaz de 3.6 Gb/s a 4.8 Gb/s, una ventaja que EE Times Japan estima que otorga a Kioxia aproximadamente un año de adelanto sobre sus competidores en rendimiento de transferencia de datos.
Los rivales coreanos expanden su capacidad
Mientras Kioxia avanza en su tecnología, SK Hynix y Samsung se preparan para ampliar su capacidad de producción de NAND. El 2 de julio, SK Hynix anunció planes de invertir 100 billones de wones (615 000 millones de dólares) en un nuevo complejo en Cheongju, de los cuales 80 billones de wones se destinarán a una planta de fabricación NAND M17. El director ejecutivo Kwak Noh-jung señaló que la demanda de NAND está creciendo rápidamente mientras la oferta sigue siendo limitada, con la construcción programada para el próximo año y las operaciones previstas para la primera mitad de 2029.
Samsung también planea una nueva línea de producción de NAND en su campus P5 en Pyeongtaek, y se espera que las salas limpias estén terminadas el próximo año, según un informe de The Bell en abril. La expansión simultánea de los tres principales fabricantes de NAND ha generado preocupaciones sobre un posible exceso de oferta y presión sobre los precios, un factor que pesó sobre las acciones de Kioxia antes del último anuncio.
La cuota de mercado de Kioxia en NAND para centros de datos ronda el 10 %, frente al aproximadamente 40 % de Samsung y el 30 % de SK Hynix, según el analista de Omdia Akira Minamikawa. No obstante, Minamikawa señaló que los chips de Kioxia procesan datos más rápido que los de sus competidores, una métrica que los operadores de centros de datos a hiperescala en EE. UU. priorizan por encima de todo. "El chip de 10.ª generación logra un avance importante en este aspecto", afirmó. "Es altamente competitivo".
Las acciones de Kioxia cayeron hasta un 12 % durante la sesión antes de revertir la tendencia para cerrar con un alza superior al 10 %, reflejando tanto el hito del producto como la reafirmación de la demanda por parte de Ota. El valor acumula una ganancia de más del 680 % en lo que va del año. La compañía está evaluando un desdoblamiento de acciones y planea listar acciones depositarias americanas (ADS) en una bolsa de EE. UU. a principios del año fiscal que comienza en abril de 2027, con el objetivo de ampliar su base de inversores. SK Hynix también busca un listado en EE. UU. por hasta 29 400 millones de dólares, en un momento en que los fabricantes asiáticos de semiconductores acceden a mayores reservas de capital para financiar su expansión impulsada por la IA.
Este artículo tiene fines únicamente informativos y no constituye asesoramiento de inversión.
