Puntos clave:
El cambio hacia la arquitectura de energía de alto voltaje en los centros de datos de IA está creando una clara división de mercado para los semiconductores compuestos: carburo de silicio en el lado de las instalaciones y nitruro de galio dentro del rack, según un informe de investigación de China International Capital Corp. publicado a finales de junio.
"La arquitectura de alto voltaje es la dirección confirmada para los sistemas de energía de los centros de datos a medida que la computación de IA avanza hacia una mayor densidad, operación continua a plena carga y fuertes transitorios de corriente", escribieron los analistas de CICC en el informe, que identifica 2026 como el año de despliegue de la nueva topología de energía. El banco espera que el SiC domine la conversión de energía en el área gris (lado de las instalaciones), incluidos transformadores de estado sólido, unidades de suministro eléctrico y sistemas de almacenamiento de energía, mientras que el GaN penetre en el área blanca (a nivel de rack) en aplicaciones como la conversión de bus intermedio y la gestión de energía del procesador.
La oportunidad de mercado es sustancial. Infineon Technologies AG, a quien Gartner identificó en un informe de mayo de 2026 como "la empresa a vencer" en semiconductores de potencia para centros de datos de IA, proyecta €2.5 mil millones en ingresos del mercado de IA para su año fiscal 2027. La cartera "de la red al núcleo" del fabricante alemán de chips abarca cada etapa de conversión, desde transformadores de estado sólido hasta la gestión de energía a nivel de procesador, utilizando SiC para la conversión de alto voltaje de la red al rack y GaN para las etapas intermedias de alta frecuencia.
El momento coincide con el aumento vertiginoso de la demanda de electricidad. Satisfacer el crecimiento esperado de la demanda en EE. UU. hasta 2030 con un enfoque intensivo en combustibles fósiles añadiría $30 mil millones anuales a las facturas de los consumidores, según un modelo de Energy Innovation. Una vía acelerada de energía limpia —que incluye las ganancias de eficiencia de los semiconductores de banda ancha— reduciría ese costo en $5.1 mil millones anuales, un ahorro del 17 %. En un escenario de aumento de los precios del combustible, los ahorros ascenderían a $8.4 mil millones.
SiC y GaN definen roles distintos
El marco de CICC traza un límite claro en la distribución física del centro de datos. Los dispositivos de SiC, diseñados para operación de alto voltaje y alta temperatura, son los más adecuados para el lado de las instalaciones, donde la energía ingresa al edificio a 800 VCC o más y debe convertirse de manera eficiente. El GaN, con su capacidad de conmutar a frecuencias más altas en factores de forma más pequeños, encaja dentro del rack, donde el espacio es limitado y las exigencias de densidad de potencia son extremas.
Esto refleja la trayectoria más amplia del mercado. Se proyecta que el mercado mundial de controladores de potencia digitales se expanda a una tasa de crecimiento anual compuesta del 7 % al 9 % entre 2026 y 2035, según IndexBox, impulsado por la electrificación de los centros de datos y la adopción de banda ancha. Se espera que los semiconductores de banda ancha crezcan de aproximadamente el 15 % de las unidades de controladores de potencia digitales en 2026 a casi el 30 % para 2035.
Navitas Semiconductor, un especialista fabless en circuitos integrados de potencia de GaN con sede en El Segundo, California, es uno de los beneficiarios directos. Sus circuitos integrados de potencia GaNFast integran transistores, controladores y protección en soluciones de un solo chip dirigidas a fuentes de alimentación para centros de datos, entre otras aplicaciones. Infineon, Texas Instruments y STMicroelectronics también están invirtiendo fuertemente en controladores de potencia digitales con capacidades integradas de GaN y SiC.
Implicaciones de inversión
Para los inversores, la tesis de CICC proporciona un marco temático para la rotación sectorial hacia empresas de semiconductores compuestos. Infineon cotiza como líder en semiconductores de potencia de base amplia con exposición a toda la cadena de energía de IA. Navitas y otros especialistas en GaN ofrecen exposición pura a la oportunidad a nivel de rack, mientras que Wolfspeed Inc. y ON Semiconductor Corp. están posicionados en SiC para aplicaciones del lado de las instalaciones.
El riesgo clave es la ejecución. La construcción de nueva capacidad de generación enfrenta barreras que incluyen las cadenas de suministro de transformadores y equipos de conmutación, demoras en los permisos y la oposición local. Aproximadamente la mitad de los centros de datos previstos para entrar en funcionamiento en 2026 se han retrasado o cancelado, según informes de la industria, en parte debido a estos cuellos de botella. Si el crecimiento de la demanda se desacelera, la vía de la energía limpia aún ahorra $2.6 mil millones anuales frente a los combustibles fósiles, incluso si solo se materializa el 33 % de la demanda esperada, según el modelo de Energy Innovation.
El marco "SiC a la izquierda, GaN a la derecha" del informe de CICC brinda a los inversores un mapa claro de qué empresas se benefician en qué capa de la pila de energía del centro de datos, y 2026 marca el año en que el cambio de arquitectura comienza en serio.
Este artículo es solo para fines informativos y no constituye un consejo de inversión.
