基礎半導體漲價高達25% AI晶片需求緊縮供應

基礎半導體漲價高達25%，顯示AI與電動車需求激增下，晶片供應依然受限。

香港交易所上市的晶片製造商基礎半導體將自第三季起對特定產品漲價高達25%，理由是AI與電動車市場的持續需求導致供應緊張。

該公司7月13日在香港交易所文件中表示：「AI訓練與推理工作負載的迅速擴張，加上交通運輸的電動化，創造了超出我們當前產能的需求。」

此次價格調整適用於未具體說明的產品範圍，將依產品類別、訂單規模及市場地區而有所不同。基礎半導體表示，這項漲價有助於支持持續研發支出，同時確保客戶的供應穩定性。

此舉正值全球半導體產業面臨結構性供應短缺之際。記憶體製造商三星與SK海力士正共同投資800兆韓元（5180億美元）在南韓興建四座新晶圓廠，而美光則投入30億美元強化美國供應鏈產能——但美光執行長桑傑·梅赫羅特拉已警告，實質的新增產能不太可能在2028年前到位。

基礎半導體展現的定價能力反映了晶片供應鏈中更廣泛的不平衡。梅赫羅特拉表示，美光目前僅能滿足核心客戶需求的50%至66%，而DRAM與NAND製造商回報至少到2027年都已銷售一空。隨著AI資料中心建設與消費性應用爭奪有限的供應，記憶體晶片價格已大幅上漲。

根據IndexBox數據，第三代半導體材料市場——用於功率電子的碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）基板——2026年估值約為85億美元，預測至2035年將以22.5%的年複合成長率增至超過580億美元。SiC在電動車主驅動逆變器中的滲透率今年為25%至30%，預計隨著800伏特電池架構成為標準，至2035年將超過70%。

供應鏈限制深入各環節

瓶頸不僅存在於成品晶片，還延伸至原材料與封裝領域。全球高品質SiC基板年產能估計在250萬至350萬片六吋等效晶圓之間，長期供應協議涵蓋60%至70%的產出。SiC基板中的晶體缺陷密度導致採購過程中需要15%至25%的材料超額，為整個供應鏈增加了成本壓力。

在記憶體方面，晟碟與鎧俠近期宣布在日本北上工廠開始生產其第10代3D快閃記憶體（BiCS10）。這款332層TLC NAND的位元密度超過每平方毫米29Gb——較前一代提升59%——介面速度達每秒4.8Gb。兩家公司之間的合作夥伴關係已延長至2034年。

投資啟示

對投資人而言，基礎半導體的漲價顯示半導體價值鏈中的定價能力依然完好。擁有自建產能或長期供應協議的公司——包括三星、SK海力士及美光——最具優勢來獲取溢價。缺乏晶圓配額保障的小型無晶圓廠晶片設計公司，則可能因吸收更高的投入成本而面臨利潤壓縮。

關鍵問題在於，在需求成長放緩之前，業界能否上線足夠的新產能。SK海力士位於印第安納州西拉法葉的先進封裝廠預定於2028年底開始量產——這一時間表凸顯了從投資到產出之間長達數年的滯後期。在此之前，供應限制將持續支撐整個產業的定價紀律。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。