長鑫存儲DRAM市占升至10%，步步進逼三星與SK海力士

長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies）正以超乎許多人預期的速度縮小與三星電子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）之間的差距，而其上半年業績數字足以說明一切：營收成長近十倍並轉虧為盈，同時在全球DRAM市場的占有率在第二季突破雙位數。

總經理趙綸周一（編按：原文時間）對投資人表示：「我們部分產品在性能、品質與供應穩定性上，如今已具備與全球領先記憶體廠商競爭的能力。」他並指出，長鑫存儲的一體化製造模式讓公司能「根據市場波動動態調整產品組合與生產節奏」。

最明確的證據出現在智慧型手機市場——這個過去長期由南韓兩大晶片廠主導的領域。小米已證實其即將推出的旗艦機將採用長鑫存儲最新一代行動記憶體晶片，這是該技術在頂級裝置上首批商業化部署之一。長鑫的LPDDR6以12,800Mbps峰值資料率開始量產，相較於運行在10,667Mbps的LPDDR5X，頻寬提升最高達60%、功耗降低20%，並首發搭載於小米MIX Fold 18（原文型號）摺疊機。三星已展示自家的LPDDR6，但未公布量產時程；SK海力士則計劃在下半年出貨其16Gb版本。

這波進展已開始反映在市占率排行榜上。Counterpoint Research估計，長鑫存儲第二季拿下全球DRAM約10%市占，高於一年前的4%；TrendForce則估計其2Q26營收市占為9.5%，高於前一季的7.6%——位居第四，落後三星的39.4%、SK海力士的24.9%與美光（Micron）的23.3%。據報導，長鑫存儲產能至2027年已全數預訂，利用率達95%，第二季毛利率更來到87%，大致與既有三大廠商相當。

更大的戰場在AI記憶體。被問及高頻寬記憶體（HBM）——這類與AI處理器搭配、快速成長的晶片——時，趙綸僅表示長鑫存儲將依其技術藍圖持續推進產品與製程。高盛（Goldman Sachs）估計，長鑫存儲到2028年有望供應中國約半數的DRAM需求，以及高達40%的HBM需求。其295億元人民幣IPO募資中，有90億元人民幣指定用於先進DRAM研發，HBM與先進封裝被列為優先事項。

趙綸也對蘋果（Apple）敞開大門，表示長鑫存儲仍願與全球客戶合作，但拒絕談論具體合作關係。分析師則提醒，這家業者的限制確實存在：在缺乏EUV微影設備的情況下，長鑫存儲在同等產品上將面臨更高成本與較低良率；一位業界人士亦指出，中國手機廠在出口機型上仍倚賴韓系記憶體，而長鑫晶片主要用於內銷機型。「如果長鑫存儲在中國政府補貼支持下持續擴產，其良率將逐步改善，」該人士表示。「正如我們在LCD產業所見，中國的技術能力可以快速躍升，因此不應被低估。」

對投資人而言，問題在於這條良率曲線會以多快的速度彎曲。長鑫存儲在上海掛牌的股票（688825）已因業績轉佳而走高，而若持續推進HBM，將使其與該領域龍頭SK海力士及三星在產業成長最快的角落正面對決。隨著中國供應增加，既有大廠在商品型DRAM的定價能力已在削弱；風險在於，長鑫存儲受補貼的產能可能在自身成本結構成熟之前，就壓縮整個產業的利潤空間。

本文僅供參考用途，不構成投資建議。