DRAM 供需失衡恐延至 2028 年第二季，AI 需求持續緊縮市場

AI 驅動的記憶體短缺正以前所未見的持久力道重塑 DRAM 產業，根據 TrendForce 的數據，預計到 2027 年底，供應量僅能滿足 60% 的預期需求。

TrendForce 分析師表示：「每一片投入 HBM 生產的晶圓，都無法用來生產傳統 DRAM，這使得供應持續受限，價格維持在高檔。」

高頻寬記憶體（HBM）是一種專門的晶片架構，能以每堆疊超過 4 TB/s 的速度為 AI 加速器輸送數據。到 2027 年底，HBM 將消耗 DRAM 總晶圓產能的 30%，高於一年前的 22%。此一轉變使傳統 DRAM 生產在結構上受到限制，即便超大規模雲端供應商—— Alphabet、微軟、亞馬遜和 Meta——預計今年將在 AI 基礎設施上投入超過 7000 億美元。根據美銀全球研究（BofA Global Research），記憶體元件佔其中 35% 至 40% 的支出。

瑞銀（UBS）預期，DRAM 供需要到 2028 年第二季才能達到平衡，這個時間線遠遠超出新晶圓廠達到最大產能通常所需的 12 至 24 個月。對投資人而言，這意味著推動美光科技（Micron Technology）股價今年上漲 205%、並將其調整後毛利率推升至 84.9% 的定價能力，短期內不太可能消退——但倒數計時的聲音已經隱約可聞。

為什麼這波週期打破常規

過往的記憶體景氣榮景遵循著可預測的節奏：價格飆漲引發積極的產能擴張，進而導致供應過剩，並在四到七個季度內引發價格崩跌。這波週期打破了這種節奏。製造商抵制大規模擴大產能，反而將資金導向 HBM 專屬投資。預計產業資本支出將從 2025 年的 537 億美元增至 2026 年的 613 億美元，但其中大部分投資都投入 HBM，而非一般 DRAM 的擴產。

這種紀律反映了 2022 至 2023 年景氣低迷期間的教訓，當時供應過剩導致產業利潤蒸發了 230 億美元。三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）和美光——根據 Counterpoint Research，這三家公司合計控制全球 DRAM 市場 89% 的份額——目前正在與客戶鎖定長期供應協議，要求預付訂金並承諾最低採購量，從而有效地平滑了需求曲線。

供給與需求的數學推算指向 2028 年

TrendForce 預測，HBM 將在 2026 年佔 DRAM 總位元供應量的 9%，並在 2027 年上升至 13%。由於每個 HBM 堆疊都需要先進封裝技術，且消耗的晶圓產能比傳統 DDR5 記憶體更多，因此位元供應佔比低估了產能緊縮的程度。HBM 滲透率每提高一個百分點，就會從一般市場中不成比例地移除更多晶圓產能。

結果便是供應短缺。KeyBanc 分析師 John Vinh 預計，DRAM 價格將在第三季實現季增 15% 至 20%，並在第四季再上漲 15%。NAND 快閃記憶體價格的漲幅預計更快——第三季上漲 30% 至 40%，第四季上漲 15%。根據業界估計，高頻寬記憶體價格明年可能翻倍以上。

對投資人的意義

美光目前的股價僅為 2027 會計年度預估調整後獲利的 6.53 倍，相較於標普 500 指數的 21.22 倍存在大幅折價。這個估值差距反映了市場長期以來對記憶體公司與景氣榮枯週期掛鉤的懷疑態度。但長期供應協議可能透過創造更可預測的獲利模式來縮小這個折價，即便沒有額外的獲利成長，也可能引發估值重新評定。

風險在於，2028 年第二季達到均衡的預測可能成為市場情緒的天花板。如果投資人開始在實際事件發生前的 12 到 18 個月就將最終正常化納入定價，那麼美光及其同業可能會在供需實際發生轉變之前，就面臨本益比壓縮。就目前而言，數據仍然支持定價能力得以延續——但時間線已不再遙遙無期。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。