Kioxia投資1兆日圓興建第三座NAND晶圓廠 因應AI需求

Kioxia Holdings將投入超過1兆日圓（67億美元），在岩手縣北上地區興建第三座NAND快閃記憶體晶圓廠，押注AI資料中心需求能將記憶體上行週期延續至2029年。新廠房將量產具332層堆疊結構的第十代BiCS 10 NAND產品，相較競爭對手競逐的400層以上設計，Kioxia優先考量AI工作負載的功耗效率。

花旗集團分析師藤原拓郎在報告中指出：「Kioxia擴充產能的決定，很可能反映了已與客戶簽訂的長期合約，涵蓋至少至2028年的需求。」岩井Cosmo證券資深分析師齋藤和義則稱此舉是「極度正面的訊號」，顯示公司已鎖定有利的客戶協議。

該晶圓廠是北上廠區的第三座，加入分別於2020年和2025年啟用的前兩座工廠。營運最早可能於2029年開始。Kioxia已於上個月開始出貨第十代BiCS快閃記憶體晶片。截至2027年3月財年的年度資本支出計畫約為4,500億日圓，較前一年度增加約60%，2028年前的三年平均值約為4,700億日圓。

此次擴產之際，Kioxia的全球NAND市佔地位正出現鬆動。該公司在第二季的NAND營收與出貨量均排名第四，中國的長江儲存科技（YMTC）在出貨量上首度超越Kioxia，躍居第三。三星電子和SK海力士則佔據前兩名。消息公布後，Kioxia股價盤中一度上漲6.9%，但由於供過於求的疑慮，股價仍較6月高點下跌約50%。

332層的設計是刻意的取捨。競爭對手競相追求400層以上的堆疊以最大化密度，但Kioxia選擇較少層數以降低每單位功耗——這對資料中心而言是關鍵因素，因為電力成本與硬體成本不相上下。該公司的BiCS（位元成本可擴展）架構將記憶體單元垂直堆疊，每增加一層雖可提升容量，但也會增加功耗與製造複雜度。

競爭對手加速投資

SK海力士本月決定在龍仁集群投資35.2兆韓元興建Y2 DRAM晶圓廠，並在清州投資19.1兆韓元興建M17 NAND晶圓廠。YMTC計劃透過首次公開募股籌集330億元人民幣以升級生產線，並向投資人表示其目標是在明年年底前成為全球最大的NAND供應商。

Kioxia的因應之道是倚重與SanDisk的合作夥伴關係，雙方共同生產NAND已超過25年。兩家公司已將合資協議延長至2034年，且SanDisk在第十代NAND的開發中扮演核心角色。Kioxia執行長內藤浩夫（Hiroo Ota）與SanDisk執行長David Goeckeler計劃在宣布當天會晤日本首相高市早苗，兩家公司預期將為此計畫尋求政府補助。

日本內閣於6月宣布一項計畫，目標是到2040年吸引總計最多68兆日圓的公私部門半導體投資。日本政府此前已向台積電、索尼集團和美光科技提供國內晶圓廠的財務支援。

AI儲存需求是核心賭注

此項投資的成敗，取決於AI從訓練階段轉向推論階段是否會創造持久性的儲存需求。Nvidia正積極推行將資料直接傳輸至GPU、繞過CPU的方式，利用企業級SSD作為擴充記憶體，以彌補高頻寬記憶體（HBM）容量的不足。Kioxia預測資料中心NAND市場將以年均46%的速度成長。

Kioxia對記憶體景氣循環的曝險仍是其結構性弱點。與同時佈局DRAM和NAND的Samsung、SK海力士不同，Kioxia僅以NAND為唯一主要業務，使其更容易受到市場下行週期的衝擊。由於投資人權衡在需求週期高峰擴充產能的風險，該公司股價已從6月高點下跌約50%。

這筆1兆日圓的賭注能否回收，取決於AI儲存需求的持久性，以及Kioxia能否將長期合約轉化為穩定營收。花旗的藤原指出，該公司擁有充足的現金來支應此項投資，而其願意投入資本，顯示管理層認為需求能見度遠超當前景氣週期。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。