記憶體晶片 ETF 2026 年回報 134% 資金輪動繞過輝達

一檔記憶體晶片交易所交易基金截至 2026 年 6 月 4 日之年內漲幅達 134%，表現超越輝達主題基金，投資人資金正轉向半導體記憶體製造商。

記憶體晶片 ETF 134% 的漲幅，標誌著 2026 年最重大的行業輪動之一——投資人正從輝達轉向三星電子和 SK 海力士等記憶體製造商。該基金同期表現比費城半導體指數高出逾一倍。

此輪輪動反映了 AI 基礎設施支出的結構性轉變。每一代新的 AI GPU 都需要更多高頻寬記憶體，使記憶體從週期性大宗商品變為數據中心建置中的策略性瓶頸。HBM（一種垂直堆疊以最大化頻寬的特殊 DRAM）已成為 AI 供應鏈中最受限制的組件之一，供應商正競相提高產能。

該記憶體晶片 ETF 的前幾大持股包括三星電子、SK 海力士和美光科技——這些企業均受益於 AI 數據中心對 HBM 需求的激增。根據基金揭露的資料，三星和 SK 海力士合計約佔部分大型國際 ETF 的 4%。這兩家南韓記憶體巨頭是 Vanguard FTSE 已開發市場 ETF 中最大的持倉之一，三星佔比 2.26%，SK 海力士佔比 1.54%，該基金規模達 3040 億美元。

國際股票在 2025 年全面反彈，Vanguard FTSE 已開發市場 ETF 截至 2026 年 6 月 1 日的年度回報率為 33.40%，iShares 核心 MSCI 全市場國際股票 ETF 回報率為 33.20%。記憶體晶片 ETF 高達 134% 的回報率遠遠超越這些廣泛的國際基金，凸顯出半導體漲勢的集中性。

對投資人的意義

對投資人而言，134% 的回報率表明 AI 交易正在從 GPU 製造商向外擴散。儘管輝達仍是主導性的 AI 晶片供應商，但記憶體晶片的估值提供了不同的風險回報特徵。三大 HBM 供應商——三星、SK 海力士和美光——都將受益於超大規模雲端業者擴大 AI 集群以及對高頻寬記憶體需求的增長。

但此輪輪動也伴隨著風險。記憶體價格歷史上具有高度週期性，需求放緩或產能過剩都可能迅速逆轉漲幅。記憶體晶片 ETF 年內高達 134% 的漲幅意味著市場已將大部分 HBM 需求樂觀情緒計入股價，若供給追上需求的速度比預期更快，上行空間將所剩無幾。

儘管如此，隨著主要雲端供應商的數據中心資本支出持續增長，HBM 及其他先進記憶體的需求底部似乎結構性地高於以往週期。記憶體晶片 ETF 的表現表明，投資人正越來越多地將目光投向輝達之外以尋求 AI 相關回報，這一趨勢可能隨著 AI 基礎設施建設持續推進至 2026 年乃至 2027 年而延續。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。