美光啟動弗吉尼亞州 20 億美元晶圓廠擴建工程，使美國產 DDR4 內存產能翻兩番

美光科技公司（納斯達克股票代碼：MU）已在其弗吉尼亞州馬納薩斯工廠開始 1α (1-alpha) DRAM 製造，此舉使其國內 DDR4 內存產量翻了兩番，並標誌著美國有史以來生產的最先進內存節點。此次擴建解決了主要 AI 數據中心熱潮之外領域對長生命週期內存的迫切需求，加強了工業、汽車和國防應用的美國供應鏈。

「今天的成就美光 2000 億美元投資計劃的重要一步，該計劃旨在擴大在美國的內存製造和研發，」美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra 表示。「我們很自豪能將先進的 1α DRAM 製造帶到美國本土，加強為美國客戶和我們服務的全球市場提供的國內供應。」

對馬納薩斯晶圓廠超過 20 億美元的投資預計將在 2026 日曆年底前上線經過驗證的基於 1α 的 DDR4 和 LP4 產品。該項目得到了聯邦和州政府激勵措施的支持，直接支持了該地區 3,100 多個工作崗位。美國商務部長 Howard Lutnick 出席了啟動儀式並表示：「我們終於在美國製造內存半導體了……美光大規模的 2000 億美元全國投資將使美國工業、汽車、國防和航空航天內存芯片的產量翻兩番。」

這一戰略擴張為需要成熟內存節點長期支持的客戶提供了專用供應，而這一領域正面臨行業轉向高頻寬內存 (HBM) 帶來的壓力。雖然美光是 AI 服務器 HBM 市場的關鍵參與者，但根據行業分析，該技術消耗的晶圓產能幾乎是傳統 DDR5 DRAM 的三倍。通過擴大其 1α DDR4 產能，美光確保其工業和汽車客戶在 HBM 生產壓力全球供應時不會被拋在後面。

華爾街權衡國內供應策略

這一公告發布之際，內存股票正處於波動期。美光股價週五下跌約 1%，至 754.61 美元，前一交易日上漲 4.1%。加強 DDR4 生產的舉措是更大規模的 2000 億美元美國投資戰略的一部分，該戰略包括位於愛達荷州和紐約州的新型領先製造基地，計劃於 2027 年年中開始生產晶圓。

在 AI 時代對內存的無限需求推動下，華爾街對美光的發展軌跡保持普遍樂觀態度。美銀證券最近將其目標價上調至 950 美元，而瑞穗此前曾設定 800 美元的目标價，理由是 DRAM 和 NAND 的價格動態有利。該股在過去三年中飆升了 935%，反映了內存行業的繁榮週期。

美光對國內多元化製造的關注與三星電子等競爭對手形成了鮮明對比，後者最近正在應對韓國潛在的勞工罷工。通過大力投資其在弗吉尼亞州、愛達荷州和紐約州的布局，美光正致力於成為關鍵的國家供應商，此舉因其經濟和國家安全意義而受到特朗普政府和弗吉尼亞州官員的讚賞。

本文僅供參考，不構成投資建議。