美光、SK海力士跌6% 長鑫存儲考慮興建第二座DRAM廠

中國最大記憶體製造商正加碼DRAM產能，西方與韓國晶片股感受到壓力。

中國最大DRAM製造商正考慮在北京興建第二座晶圓廠，此舉可能削弱美光、SK海力士與三星的定價能力。路透社週一引述兩名未獲授權公開討論此事的知情人士報導了該計畫。

長鑫存儲科技（CXMT）正就於北京亦莊經濟技術開發區興建第二座12吋晶圓廠進行早期融資磋商，該地點距離市中心約20公里，公司已在此營運一座DRAM廠。消息人士表示，公司正向北京經濟技術開發區尋求至少6000萬元人民幣（約890萬美元）的支援，多家國有科技企業也表示有興趣參與融資。融資方案的規模與結構仍在協商中，長鑫存儲尚未公布新廠的規劃產能或總投資額——一座先進DRAM廠的建造成本通常超過100億美元。

此次擴產距長鑫存儲創紀錄的86億美元IPO僅一周之餘，該IPO是中國大陸半導體產業規模最大的上市案之一，反映公司在AI基礎設施支出導致全球記憶體市場吃緊之際，積極搶佔更大市佔率的企圖。長鑫存儲目前營運兩座12吋廠——一座位於合肥、一座位於北京——每座月產能約10萬片晶圓，合計月產能約20萬片。根據TechPowerUp對公司建廠進度的追蹤，當上海與合肥的擴產項目投產後，公司預期月產能將倍增超過60萬片，2026年底有望達到約35萬片月產能，僅次於美光的37.5萬片。

競爭威脅並非假設。報導已指出，在需求激增之際，長鑫存儲在DDR5伺服器記憶體上對三星形成價格壓力，且公司建造無塵室僅需約12個月，遠快於業界一般兩年的時間，使其產能上線速度遠快於競爭對手。這種速度對既有廠商而言是一把雙面刃：中國新增供應可能緩解推升記憶體價格的AI驅動短缺，但也威脅到三星、SK海力士與美光賴以支撐創紀錄利潤率的定價能力與市佔率。

投資人週一即時反應。美光與SK海力士早盤各跌約6%，Sandisk跌約2.5%，隨後盤中股價回升至平盤之上。此波賣壓凸顯記憶體產業對任何顯示長鑫存儲在國家支持下擴產可能以更低價DRAM淹沒市場的訊號，都極度敏感。

長鑫存儲的成長與所謂的「合肥模式」密切相關，安徽省以政府資金從零打造該公司——北京與上海如今正競相複製此模式，以爭取更大的戰略與經濟回報。擬議的亦莊廠將是長鑫存儲的第四個擴產項目，其成敗取決於公司能否維持令其成為業界最快晶圓廠建造商的超高建設速度。

對投資人而言，問題在於市場是否已對該風險定價。美光與SK海力士股價因AI記憶體需求而大幅上漲，若長鑫存儲產能顯著攀升——即便大部分由中國超大型資料中心與AI實驗室消化於內需——也可能壓縮現有廠商目前享有的溢價。隨著長鑫存儲產能預計在年底逼近美光，驅動該產業近期漲勢的記憶體寡頭格局，可能正面臨AI熱潮以來第一個真正的挑戰者。

本文僅供參考，不構成投資建議。