輝達為Vera Rubin布局核准三家記憶體供應商供應HBM4

輝達已認證三大記憶體晶片製造商，為其下一代Vera Rubin AI平台供應HBM4記憶體。

輝達公司（Nvidia Corp.）認證三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光科技（Micron Technology）為其Vera Rubin AI加速器供應HBM4記憶體，擴大了新一代AI伺服器中最關鍵零組件的供應基礎。

「三家供應商均已完成認證，並已進入量產階段，彼此競爭以支援輝達最新的AI晶片，」執行長黃仁勳6月5日在首爾金浦國際機場訪問時表示。

HBM4將介面寬度翻倍至2,048位元，相較於HBM3E，在JEDEC標準下每堆疊頻寬可達每秒2 TB，而前一代約為每秒1 TB。Vera Rubin作為輝達的下一代AI平台，預計於第三季開始出貨。

此次認證擴大了輝達在該市場的供應商基礎。根據Astute Group數據，SK海力士在2025年第二季持有62%的HBM市佔率。SK海力士股價今年以來已飆漲約90%，市值增加逾800億美元，而三星與美光則分別上漲約40%及80%。

黃仁勳此行不僅止於供應鏈布局。他預計將與現代汽車（Hyundai Motor）、LG、SK、三星及Naver的高層會面，並計劃首次與南韓機器人及AI新創公司進行圓桌會議。「機器人技術將是南韓的下一個重大前沿領域，」黃仁勳表示，他正積極推動打造「物理AI」生態系統。

SK集團會長崔泰源另稱「記憶體瓶頸將持續至2030年」，並承諾在五年內將晶圓總產能翻倍。安謀（Arm）執行長Rene Haas則形容記憶體是「最棘手」的瓶頸問題，凸顯了整個產業的供應限制。

HBM4競爭加劇

SK海力士表示，已對HBM4完成內部驗證及品質保證，準備進入量產。據該公司稱，其最新的HBM4產品頻寬翻倍，且能源效率較前一代提升40%。三星電子則在Computex展會上公開展示業界首款HBM5實體模型，這是其第八代高頻寬記憶體，展現其在下一代市場中爭奪領導地位的企圖心。

美光科技儘管獲得認證，但其股價在6月5日早盤下跌5.82%，延續前一日因博通（Broadcom）財報表現不佳所引發的半導體板塊弱勢而錄得的7.7%跌幅。美光股價在過去12個月內已飆漲逾800%，因此仍面臨獲利了結壓力。另根據SemiAnalysis的一份報告指出，輝達削減Vera Rubin伺服器機櫃的模組記憶體容量，亦為賣壓來源之一，不過該機構負責人Dylan Patel隨後表示該分析「並無利空意涵」。

供應限制重塑定價格局

研究機構Trendforce指出，隨著HBM世代演進、晶片尺寸擴大及需求攀升，對傳統DRAM產能的排擠效應預計將進一步加劇。「這將為供應商提供強而有力的理由來調升HBM價格，並在明年HBM議價中強化其定價權，」Trendforce分析師寫道。每個HBM單位所需的半導體晶圓產能約為標準記憶體的三倍，意味著HBM供應擴張將壓縮其他記憶體類型的產能，並帶動整個產業價格上揚。

對投資人而言，HBM4認證確認了輝達Vera Rubin的推出進程正如期推進，但供應商之間的競爭態勢正在轉變。SK海力士憑藉先行者優勢及62%的市佔率，最具潛力搶佔初期訂單。三星提前展示HBM5實體模型，顯示其正加速追趕差距；美光獲得認證雖消除了關鍵不確定性，但仍使其位居三家供應商中的第三順位。輝達股價過去12個月已上漲約120%，目前本益比約為35倍。

本文僅供參考，不構成投資建議。