三星鎖定70%記憶體產能至2031年 HBM價格飆升

三星已將約70%的記憶體產能鎖定至2031年的長期合約，但即便是輝達、微軟和谷歌也無法獲得全額合約規定的HBM供貨量，因為AI需求已超出供給。

韓國半導體產業協會執行董事安基賢表示：「HBM4的價格大約是上一代產品的兩倍，因此當記憶體廠商提高產能時，生產過程中所消耗的DRAM數量也會增加，最終導致整體出口量減少。」

這股供給吃緊的現象在南韓貿易數據中清晰可見。根據韓國國際貿易協會的數據，DRAM出口量從5月的約6.817億顆下降至7月的5.9174億顆，跌幅達13.2%，而總出口額則成長18.5%至135.5億美元。平均單價上漲36.6%至22.90美元。在現貨市場上，36GB的HBM3E產品交易價格為2,100美元——約為510美元長期合約價的四至五倍——而處於生產協調階段的16層HBM4產品若無合約，成本約為3,500美元，根據記憶體研究機構Megagrid Supply的數據。

定價權正直接反映在獲利表現上。根據最新一個月的市場共識預期，三星第三季營收共識值為206.6兆韓圜，營業利潤為116.4兆韓圜；而SK海力士預期營收為101.8兆韓圜，營業利潤為79.2兆韓圜。

HBM4轉型加深DRAM供給緊張

向HBM4的轉型正在加劇供不應求的情況。每一代HBM的生產良率都更低，意味著仍處於初期量產階段的HBM4，生產相同最終產出所消耗的DRAM晶圓數量多於HBM3E。這種動態正在排擠傳統DRAM的生產，推高整個記憶體產品線的價格。

Gartner預測，2026年全球半導體營收將達到1.56兆美元，其中記憶體營收將達到8,370億美元。僅DRAM營收今年即預估將暴增246.6%，因為AI伺服器每台搭載的記憶體容量更高。根據該研究機構的數據，記憶體佔半導體總營收的比重預計將從2025年的27%上升至2026年的54%。

產能擴張進行中

三星和SK海力士雙雙以擴充產能因應。三星的裝置解決方案部門正在評估一項計畫，最快明年將平澤廠區的S5晶圓代工產線轉為記憶體生產。SK海力士則在龍仁及南韓湖南地區擴張生產基地，同時探索與日本當地夥伴合資設立晶圓廠的可能性，或將深化與鎧俠——SK海力士為其最大股東的NAND快閃記憶體廠商——的合作關係。

供不應求的情況短期內難以緩解。安基賢表示：「要解決半導體供給短缺的問題，必須興建更多生產設施。即使規劃中的新晶圓廠陸續投產，短缺情況也只是緩解而非消除。」

對投資人而言，這波記憶體上行週期直接利於三星和SK海力士，以及同樣正在提升HBM產能的美光科技。8月推出的Defiance Memory & Photonics ETF（PRAM）追蹤20家記憶體與光子學公司，包括SK海力士、美光和南亞科技，為投資人提供了一條專注參與AI記憶體投資主題的途徑。但對AI基礎設施建置商和超大規模雲端業者而言，記憶體成本上升正壓縮採購預算——Gartner指出，供需緊張的狀態將推高伺服器及基礎設施元件的成本直至2027年。

本文僅供參考，不構成投資建議。