三星、SK海力士上半年晶片資本支出因AI記憶體需求大增35%

三星與SK海力士上半年晶片設施投資合計大增35.1%至43.2兆韓元，在AI記憶體需求高峰下產能利用率達100%。

三星電子與SK海力士上半年半導體設施投資合計大增35.1%至43.198兆韓元，在HBM、DRAM與NAND領域AI記憶體需求超過供給的情況下，兩家公司產能利用率均達100%。

SK集團會長崔泰源形容明年記憶體市場為「猶如戰爭的局勢，每個人都想要晶片，但沒有它們就無法建構AI運算系統」，並警告供需失衡將創史上最嚴重。

SK海力士設施投資年增56.4%，超越三星DS部門的23.5%。三星上半年總研發支出創紀錄達27.363兆韓元，年增51.5%；SK海力士研發支出則大增98.4%至6.043兆韓元——約為其2025年全年總額的90%。兩家公司皆報告100%產能利用率。

此波投資激增之際，客戶集中度也出現變化。輝達佔SK海力士營收比重從2025年全年的24%降至上半年的13.35%，且輝達未出現在三星前五大客戶名單中，該名單合計佔比約25%。客戶多元化反映出Alphabet、亞馬遜等超大規模業者正打造客製化ASIC以降低對GPU的依賴。

這份於8月14日提交的半年報所揭露的資本支出數據，顯示AI記憶體超級週期正重塑兩家公司的資產負債表。SK海力士更具侵略性的擴張計畫瞄準HBM、高容量DRAM與企業級SSD需求。三星DS部門的投資則聚焦HBM4及後續架構、先進製程產能及相關基礎設施。

研發競賽同樣激烈。三星上半年研發支出創紀錄達27.363兆韓元，增幅51.5%；SK海力士研發支出則近乎翻倍至6.043兆韓元。近乎翻倍的投入顯示SK海力士正大力投資HBM4及後續架構，以捍衛其在輝達供應鏈中的領先地位。

技術競賽在產品藍圖中清晰可見。三星於5月29日出貨業界首款HBM4E樣品，在4奈米基底晶片上實現每個堆疊3.6TB/s的頻寬——領先競爭對手超過六個月。SK海力士已於第二季開始量產HBM4，正在與主要客戶磋商2027年的供應量與定價。兩家公司都在為始於HBM5的客製化HBM時代做準備，屆時記憶體供應商將與各超大規模業者共同設計產品。

輝達對記憶體供應鏈的掌控鬆動

半年報中最具意義的結構性轉變在於客戶組合的變化。SK海力士上半年來自輝達的營收達17.6087兆韓元，佔總營收13.35%——遠低於2025年全年的24%。另一家未揭露的客戶（據信為微軟或谷歌）貢獻了另外17.1874兆韓元。

三星前五大客戶合計約佔營收25%，輝達完全不在名單之列。這反映三星更廣泛的產品組合——其對中國出口除了AI伺服器記憶體外，還包含行動DRAM、NAND快閃記憶體、影像感測器與顯示驅動IC。

遠離輝達集中的趨勢由超大規模業者開發客製化AI晶片所驅動。Alphabet、亞馬遜與微軟都在打造ASIC以降低對輝達GPU的依賴，為記憶體供應商開創新的採購管道。SK海力士預期隨著其為Vera Rubin平台增產HBM4供應，輝達的營收佔比將在下半年回升。

押注AI記憶體需求的43.2兆韓元

資本支出激增的影響範圍超越這兩家韓國晶片廠商。三星DS部門第二季營業利益率約達70%，上半年DRAM市佔率上升5.4個百分點至39.4%。SK海力士美國營收達84.56兆韓元，佔總銷售額64.1%；中國貢獻32.48兆韓元，佔比24.6%。

崔泰源關於「晶片通膨」（chipflation）——晶片價格上漲流入終端產品成本——的警告已開始顯現。三星行動記憶體成本年增211%，導致其DX（Galaxy智慧型手機）部門出現史上首次營業虧損。LG電子也報告原物料成本上升，引述晶片與銅的影響。

對投資人而言，關鍵問題在於資本支出週期是否可持續。兩家公司都在價格居高不下的情況下以創紀錄水準進行投資。SK海力士因HBM領先優勢享有相對於三星的溢價，但客戶多元化趨勢若三星能取得更多ASIC設計訂單，可能縮小此差距。三星西安NAND廠的美國年度出口許可證於12月31日到期，為供應格局增添地緣政治風險。

本文僅供參考，不構成投資建議。