三星 UFS 5.0 達 10.8 GB/s 速度，專為裝置端 AI 打造

三星新款 UFS 5.0 記憶體讀取速度達 10.8 GB/s，較前代提升超過一倍，瞄準裝置端 AI 處理需求的爆發式增長。

三星電子開發出業界最快的 UFS 5.0 儲存解決方案，循序讀取速度達 10.8 GB/s，性能較前代翻倍以上，以應對行動裝置上運行大型語言模型的需求。

三星電子記憶體產品規劃主管張錫碩（Jangseok Choi）表示：「在裝置端 AI 時代，儲存裝置正演變為定義 AI 體驗的關鍵驅動力。」

UFS 5.0 的循序寫入速度達 9.5 GB/s，為 UFS 4.1 標準的兩倍以上。透過時脈閘控與多電壓技術，功耗效率提升逾 40%。封裝尺寸為 7.5mm x 13mm x 0.9mm，較前代縮小 16.7%，提升行動裝置、穿戴式裝置及延展實境（XR）設備的設計靈活性。

量產將於 2026 年第四季啟動，最高容量達 1 TB。該技術瞄準旗艦智慧型手機、XR 頭戴裝置及 AI 穿戴設備——這些市場中，裝置端 AI 處理需要更快的本地儲存，以便在無雲端延遲的情況下運行大型語言模型。

UFS 5.0 如何改變裝置端 AI 的運算格局

生成式 AI 正從雲端推理轉向本地端處理，驅動裝置內需儲存與檢索的數據量激增。儲存正從主要用來存放檔案的媒介，演變為支撐 AI 運算的核心基礎設施。三星 UFS 5.0 整合最新的 JEDEC 嵌入式記憶體介面標準，實現業界最高的 10.8 GB/s 頻寬。

速度提升之所以關鍵，在於大型語言模型需要快速存取儲存在本地記憶體中的模型權重與參數。一部在本地運行 70 億參數模型的智慧型手機，需在毫秒級別內載入數百 MB 的數據。UFS 5.0 的 10.8 GB/s 吞吐量，能將載入時間較 UFS 4.1 縮減約一半，從而減少用戶提問與模型回應之間的延遲。

競爭對手面臨的壓力

三星的這項公告給 SK 海力士與美光科技帶來壓力，這兩家公司也正在開發各自的高速行動記憶體解決方案。SK 海力士專注於 AI 加速器的 HBM 記憶體，而美光則推動其 232 層 NAND 應用於行動裝置。三星 UFS 5.0 的技術躍進，使其在 premium 智慧型手機儲存領域取得潛在的先發優勢——在這個市場中，採用 Apple 與高通晶片的 Android 旗艦機正競逐 AI 性能領導地位。

三星內部自行生產 NAND 快閃記憶體與控制器，相較於依賴第三方控制器設計的競爭對手，具備垂直整合優勢。該公司計劃擴大產能，以滿足從旗艦智慧型手機到 XR 頭戴裝置及 AI 穿戴設備等下一代裝置市場的需求。

投資人影響

三星電子（KRX: 005930）目前股價約為帳面價值的 1.2 倍，反映該集團成熟的記憶體業務。UFS 5.0 的技術突破可望支撐記憶體部門的利潤率擴張，該部門在 2025 年為三星貢獻約 30 兆韓元的營業利潤。對投資人而言，關鍵問題在於三星能否在競爭對手追趕上該規格之前，將其技術領先轉化為定價能力。SK 海力士（KRX: 000660）與美光（MU:US）面臨加速自身產品藍圖的壓力，否則可能在 premium 行動儲存市場中流失市佔率。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。