施密德在 ECTC 2026 展示面板級封裝技術，滿足 AI 晶片需求

隨著人工智能和高性能計算驅動基板複雜性達到前所未有的高度，製造商正面臨性能擴展的瓶頸，施密德集團（SCHMID Group）旨在通過其全新的面板級封裝技術來應對這一挑戰。

德國弗羅伊登施塔特 – 施密德集團（納斯達克股票代碼：SHMD）正在憑藉其專有的 Any Layer ET（嵌入式跡線）工藝推進下一代基板製造。這是一個面板級平台，旨在滿足人工智能和高性能計算硬件日益增長的需求。該技術超越了傳統的基板製造，能夠為複雜的晶片架構實現更精細、更可靠的互連。

「先進封裝的未來將由精度、可靠性和可擴展製造來定義，」施密德集團首席銷售官 Roland Rettenmeier 在一份聲明中表示。「隨著人工智能基礎設施需求的加速，基板創新成為整體系統性能最具戰略意義的推動因素之一。」

與傳統的改良半添加法（mSAP）和半添加法（SAP）不同，施密德的技術是一種將銅跡線嵌入電介質層的大馬士革工藝。其工作流程結合了深層反應離子刻蝕（DRIE）、用於種子層的物理氣相沉積（PVD）、用於銅填充的電化學沉積（ECD）以及用於平坦化的化學機械拋光（CMP）。這種方法產生了卓越的線路定義和表面平整度，這對於先進封裝中的超細再布線層（RDL）至關重要。

該公告使施密德能夠利用行業向異構集成和更複雜封裝架構轉變的趨勢。通過提供工藝訣竅和生產設備，公司為客戶提供了一個集成平台，以實現下一代基板製造的工業化，並特別關注未來的玻璃芯封裝。

大局觀：冷卻與複雜性

引入像 Any Layer ET 這樣的先進製造工藝解決了創建更複雜、更密集的晶片互連的挑戰，但它與另一個關鍵瓶頸——熱管理同步。隨著封裝密度的增加，熱密度也會隨之增加。韓國科學技術院（KAIST）最近發表在《能源轉換與管理》上的研究強調了這一挑戰，其歧管微通道冷卻器能夠移除超過 2,000 W/cm² 的熱量。雖然施密德的工藝實現了更強大的晶片設計，但像 KAIST 這樣的冷卻技術對於使其可行至關重要，這表明半導體行業的進步需要製造和熱工程的綜合手段。

下一步：ECTC 2026 演講

施密德計劃在即將在佛羅里達州奧蘭多舉行的 ECTC 2026 會議上詳細說明其戰略。Rettenmeier 計劃發表題為「InfinityBoard——用於超細 RDL 和垂直互連集成的面板級玻璃芯封裝平台」的演講。該演講將探討大馬士革工藝在實現未來半導體性能方面的作用，為與晶片製造商、OSAT 和設備供應商的互動提供關鍵論壇。

本文僅供參考，不構成投資建議。