SK海力士與SanDisk發布首個高頻寬快閃記憶體開放標準,這是一層介於HBM速度與SSD容量之間的記憶體層級,專為AI推論工作負載設計。
SK海力士與SanDisk發布首個高頻寬快閃記憶體開放標準,這是一層介於HBM速度與SSD容量之間的記憶體層級,專為AI推論工作負載設計。

SK海力士與SanDisk在FMS 2026發布首個高頻寬快閃記憶體(HBF)開放標準。這是一層介於HBM與SSD之間的記憶體層級,容量可擴展至512GB,頻寬最高可達3.0TB/s。
SK海力士解決方案開發部門負責人暨執行副總裁金春星(Kim Chun-sung)表示:「透過HBF,SK海力士將拓展記憶體與儲存裝置之間的界線,並為提升整體系統效率的新架構做出貢獻。」
該規範透過開放運算計畫(Open Compute Project)發布,涵蓋基於8層與16層NAND晶粒堆疊、容量最高達512GB的產品,頻寬則分為三個等級,從約0.4TB/s到3.0TB/s不等。HBF採用UCIe晶片互連標準,可實現GPU與CPU架構之間的整合。該聯盟於2月成立,成員包括Google與Tenstorrent,此前於2025年8月與SanDisk展開初始標準化合作。
此標準發布之際,AI推論工作負載正對現有記憶體層級結構造成壓力。HBM3E每堆疊頻寬最高達1.2TB/s,但容量僅約48GB;而PCIe 5.0企業級SSD雖然容量可達數十TB,循序讀取速度卻僅約13GB/s。HBF正好填補了這一缺口,SK海力士計畫於明年初開始基於其第十代375層4D NAND的量產企業級SSD。
新標準定義了HBF晶粒堆疊的連接介面、電氣特性、可靠性與封裝指引,以及軟體I/O指南。透過開放資料中心技術倡議OCP發布,SK海力士與SanDisk使HBF成為全行業的開放標準,而非專有規格。
Google與Tenstorrent已加入HBF聯盟,Google DeepMind資深職員工程師馬小宇(Xiaoyu Ma)於8月6日與SK海力士副總裁林義哲(Lim Eui-cheol)及SanDisk副總裁Rajeev Nagabhirava一同參與座談。該場座談主題為「以高頻寬快閃記憶體突破記憶體牆」,匯集了記憶體、儲存與AI領域的領袖。
Citrini Research分析師Jukan於4月在X平台上指出,Google一直是推動HBF採用的最積極業者,而Nvidia的興趣則較為有限,該公司認為現有eSSD已能滿足當前頻寬需求。這一分歧凸顯了一個關鍵的策略問題:HBF究竟是會成為主流記憶體層級,還是僅限於特定推論工作負載的超大規模資料中心應用的利基方案。
此開放標準的做法與CXL(Compute Express Link)規範作為記憶體擴充介面獲致採用的模式相似。SK海力士與三星均支持CXL 3.2記憶體擴充用於AI資料中心。據8月初的報導,瀾起科技(Montage Technology)在三星與SK海力士的支持下,將CXL 3.2記憶體擴充帶入AI資料中心。
SK海力士還在FMS 2026首次公開展示了其第十代(V10)375層4D NAND晶圓。該技術相較前一代,性能功耗比提升2.5倍,專為同時要求功耗效率與性能的資料中心優化。公司計畫於明年初開始量產基於此NAND的高性能、高容量企業級SSD。
此NAND發布之際,SK海力士正與三星、美光及鎧俠在AI儲存市場展開競爭。根據TrendForce數據,SanDisk在第一季以13.9%的營收市占率與美光並列全球NAND快閃記憶體第四名。SanDisk計畫於2026年下半年開始HBF樣品出貨,目標在2027年初推出AI推論裝置樣品。
SK海力士股票在韓國交易所上市,美國存託憑證(ADS)則在納斯達克掛牌。該公司進軍HBF與375層NAND的舉措,可望在推論工作負載成長之際搶佔AI儲存市場份額,不過該技術目前仍處於早期階段,量產尚未啟動。在4月的台積電技術研討會上,SK海力士展示了將其AI記憶體產品線從HBM擴展至HBF與3D堆疊DRAM的路線圖,顯示該公司意圖主宰AI基礎設施記憶體層級的整體戰略。
本文僅供參考,不構成投資建議。